정밀가공분석

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마이크로 열전달 적층장비
〇 그래핀, MoS2 등, 2차원 나노물질을 대면적으로 성장한 뒤 이런 물질들을 순차적으로 적층하여 적층형의 구조를 구현할 수 있음. 시료를 정확하게 원하는 위치에 전사하는 데에 이용할 수 있음. 혹은 적층 구조에서의 초격자 형성에 응용할 수 있음.

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자외선 조사 미세패턴 형성기
〇 실리콘 기판 위에 패턴된 금속 전극 형성
〇 실리콘 기판 위에 패턴의 식각
〇 그래핀의 미세패턴 식각
〇 고분자 필름의 패턴
〇 전자빔묘화 공정을 위한 marker system 의 패턴
〇 다층 패턴의 정렬

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자동 임계점 건조기
○ MEMS 소자 공정의 마지막 단계에서 용매의 건조에 따른 표면장력의 영향으로 마이크로 구조가 무너지지 않도록 이산화탄소의 초임계 상태을 이용하여 용매를 건조시키는 데에 이용.
○ 복합소재의 열전도도 측정을 위한 구조물을 제작하는 데 활용함.

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기판 절단기
〇 반도체용 6인치 Si 기판 유리기판 플라스틱 기판 등의 절단
〇 고온 반도체 박막 및 나노구조 성장용 기판 절단
〇 전자소자 특성 평가용 기판 절단
〇 반도체 chip 절단
〇 LED chip 절단

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원심 진공 믹서
〇 최대 200 ml, 250 g sample 처리
〇 두 가지 mode 내장 : Mixing mode, Vacuum mode
〇 Vacuum pump 를 이용한 고점도 sample 내에 존재하는 기포를 제거하는 강력한 deaeration
* 고분자 내의 나노 분말 등의 필러의 균일한 분산
* 페이스트 내의 마이크로 버블의 탈포

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유성형 볼밀 분쇄기
○ Planetary ball mill은 Grinding ball과 sample의 강력한 impact에 의해 분쇄되는 원리를 이용한 것으로 원심력에 의한 원심가속도를 이용하게 되는데, 바깥쪽의 Main-disk가 공전을 할 때 Grinding ball이 담긴 Grinding bowl이 한 대반향으로 자전함으로서, 강력한 impact energy가 발생하게 되어 분쇄가 일어난다. 이러한 원리를 통해 유,무기물의 시료를 빠른 건식분쇄나 습식분쇄 및 에멀전 상태나 페이스트 상태의 시료를 혼합하고 균질화하는 용도로 사용
* 광물, 광석, 금속 산화물 등의 메탈 재질의 효과적인 분쇄 및 분산
* 슬러지, 코크스, 탄소 물질 등의 페이스트로 변환
* Graphite, Boron nitride powder의 사이즈 조절 및 분산 효과 극대화
* 유/무기물의 두가지 이상 재료 혼합시 고른 분포도 형성

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연속식 안정화기
〇 PAN 프리커서섬유를 그 뒤에 연결하고 1m/min의 속도로 롤러를 구동하고 히트 플레이트 온도를 각 220 ~ 260'C로 설정한 뒤 섬유를 안정화 함

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탄소섬유용 흑연화로
〇 최고 2400℃까지 승온 가능한 연속식 흑연화 장비이다.
〇 최고 승온 속도는 100℃/hr 이고 산소농도를 30 ppm이하로 관리가 가능하여 고순도의 탄소섬유 제조가 가능하다.

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초고온 열처리장비
〇 탄소섬유 나노탄소소재, 탄소복합소재를 초고온까지 열처리 하여 물리적 특성 변화를 연구하거나 구조적 변화를 연구할 수 있으며 특히 수직형 열처리 장비로 섬유의 장력을 쉽게 줄 수 있음

15.나노복합구조체 성형장비2.jpg

나노복합구조체 성형장비
〇 3차원 형태의 나노복합구조체 성형
〇 고분자 매트릭스와 필러를 혼합하여 고기능성의 복합소재 연구
〇 금속 도금, 필러배열, 고분자 성형을 위한 마이크로 템플릿 제작
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상세보기

장비명 별 도입연도와 설비상태 등의 정보를 확인할 수 있는 상세 표
장비명(국문) 마이크로 복합구조체 열방출 현미경
장비명(영문) Thermal emission microscope
장비명(약칭) Nova NanoSEM 450
도입연도 2016.10
설비상태 정상
규격, 측정결과, 활용용도 및 이용분야, 사용료의 정보를 알 수 있는 장비 상세 표
규격
측정결과
활용용도 및
이용분야
  • 적외선 현미경을 사용하여 반도체용 passive 복합소재 (패키지, 배선)의 마이크론 영역에서의 열분포 분석 및 열에 의한 failure분석
  • 복합소재를 이용한 방열소재의 열분석에 있어서 미시적 열 흐름을 이미지화 및 분석.
  • Thermal lock-in analysis를 통한 열방출 amplitude image와 phase이미지 분석을 통한 복합소재 및 반도체 패키지에서의 열방출 위치 및 원인 분석
사용료 기본료/시간 20만원
측정요금/시간 30만원
추가사항 5만원
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